光刻機作為芯片制造過程中最繁瑣復雜的設備，目前的最先進技術一直被荷蘭的ASML所壟斷。雖然國內也能完成光刻機的生產，但和阿斯麥之間還是存在一定的差距。

不得不提到的是，目前國產的光刻機能生產出來的芯片制成工藝最低在28納米。雖然28納米在市場上仍然占據著不小的份額，但眼看著芯片已經朝3納米工藝發展了，以謀求產業鏈自主，華為更是頂起了國產化的大梁。下一步要進行的就是設備的安裝調試和人員的招聘。

不僅如此，大家都知道華為旗下的海思半導體在芯片設計領域的水平已經達到國際前列，麒麟系列芯片的設計和應用給國人爭了不少臉，但海思在芯片設計領域所需要用到的EDA軟件還是要依靠美國的三家軟件公司。

華為為了改變這樣的現狀，前段時間向國內的九同方微電子公司做出了入股投資，準備彌補國內的EDA軟件缺失，華為在這兩個方面出手，確實讓國內的民眾重新振奮了精神。

其實大家都深知光刻機的重要性和復雜性，對于入局光刻機這件事不像其他產業鏈環節那樣簡單。這次獲得突破的光刻機處于90納米的水平，這就意味著一次曝光可以完成90納米工藝芯片制作，而經過多次曝光之后，最高可以實現28納米工藝芯片制作。

?這次獲得突破的光刻機，有幸成為世界上首臺運用紫外光源實現22納米分辨率的光刻設備，和之前版本的光刻機進行對比，就能看出這次光刻機進步不小，實現了從90納米到22納米的跨越。

雖然和ASML的EUV光刻機相比之下，這種光刻機的光源波長在365納米，和阿斯麥的193納米波長還是有所差距的，但此次光刻設備的亮點就在于采用了研發的新思路，在技術上能完美地繞開了國外的技術。