工作職責:
1、 負責新產品研發前期規劃和任務分解，撰寫項目研發報告和實施方案；
2、 根據客戶和產品需求，進行關鍵工藝和先進工藝開發；
3、 負責GaN射頻器件layout設計、電熱仿真、電學性能測試和分析；
4、 負責可靠性測試方法研究及數據分析，對接可靠性部門；
5、 器件失效分析及機理研究，器件工藝問題反饋與追蹤；
6、 負責器件射頻測試和應用demo；
任職資格:
1、 具有半導體物理和器件物理知識基礎，熟悉器件的直流、射頻電性測試。以GaN經驗優先，包括射頻和電力電子應用，其它Si基器件亦可；
2、 具有豐富的半導體工藝制程開發經驗，包括 PVD、CVD和干法刻蝕。以GaN相關經驗優先，其它半導體材料基亦可；
3、 熟悉射頻器件的結構布局和版圖設計，熟練使用Silvaco、Sentaurus或Ansys等器件電學和熱學仿真軟件。以GaN經驗優先，其他Si基或GaAs基亦可；
4、 熟悉器件的制程，流片和測試，能夠根據流片或者測試異常，分析制程原因。以GaN器件（含射頻、電力電子應用）優先，其他半導體經驗亦可；
5、 熟悉GaN器件工作原理及可靠性失效機理，針對可靠性失效器件進行分析和機理研究，可提出可靠性加固方案。以GaN經驗優先；
6、 熟悉GaN射頻器件的應用，包含小信號、大信號測試和分析，板級demo系統設計和調試，反饋器件問題。以GaN射頻器件應用經驗優先；
7、 有較強的文檔撰寫能力和清晰的邏輯思維，包含專利，文章，項目申報等；
8、 良好的英文讀寫水平，能夠有獨立查閱英文文獻資料的能力；
9、 需要較強的團隊協助能力和語言表達能力。具備良好的學習能力，責任意識較強，能夠承擔較大的工作壓力；