技能要求：
溝槽MOS，SGT MOS，超結MOS，IGBT，SIC MOS，芯片設計
職位描述 :
該職位匯報給芯片設計部部長，負責LRC芯片設計開發項目
1、負責功率IGBT、Sic Mos、超結MOS、TVS器件設計與開發，及時解決開發過程中的相關設計、工藝、參數、可靠性等問題，保障項目從立項到量產前按計劃進行；
2、提供項目從立項到量產前的開發過程需要的文件資料，受控相關文件；
3、負責項目相關的數據收集、分析、報告整理，按照流程申請項目關鍵節點的審批；
4、對已量產的產品提供問題分析與技術支持；建立相關項目的開發數據庫；
職位要求 :
1、碩士及以上微電子等相關理工科專業
2、3年以上設計開發相關經驗。熟悉功率MOS/IGBT/TVS等類芯片設計與開發、熟悉功率IGBT、Sic Mos、超結MOS、TVS器件芯片工藝制造及封裝過程。
3、熟悉芯片設計與開發，熟悉芯片關鍵制程，熟悉芯片和產品測試、數據分析和報告總結。良好的英文溝通能力。