崗位職責：

1. 參與MOSFET功率器件新工藝，新項目開發(fā)，進行新工藝流程建立、更改 ；

2. 參與MOSFET項目計劃制定，完成實驗計劃；

3. 線上流片監(jiān)控，線上線下數(shù)據(jù)收集，整理；

4. 部門協(xié)作及客戶支持；

5. 完成部門經(jīng)理(上級主管)交辦的其他任務。



崗位要求：

1. 半導體物理，微電子，物理等專業(yè)本科以上學歷；

2. 具備扎實的半導體物理，器件理論和工藝原理知識；

3. MOSFET功率器件設計或工藝開發(fā)(TD/PIE)2年以上經(jīng)驗,有平面/TRENCH MOSFET, SGT, Super-Junciton開發(fā)經(jīng)驗優(yōu)先；

4. 良好的溝通和團隊協(xié)作能力。