近幾年，美國頻頻對我國高科技企業下手，尤其是芯片禁令，一度讓華為差點倒下。表面上看老美是沖著5G主導權而來，事實上，是想通過技術先發性來全面遏制我國高科技的發展。

國產企業之所以會處于被動挨打的局面，最關鍵的因素就在于我們沒有完善的半導體產業鏈，給了對手可乘之機。好的一方面是，經過這件事，我們徹底醒悟，不再想著“拿來主義”的便捷，而是堅定了自主造芯的決心。

國家不僅制定了2025年實現70%芯片自主率的目標，同時對半導體產業推出了大量的扶持政策，并優化產業環境。除了核心企業的努力之外，中科院等頂尖科研機構也紛紛入場，成立專項技術攻關小組，為中國芯的實現掃除一個又一個“障礙”。在團結努力之下，國產芯片各方面都取得了階段性的勝利，距離完全國產化越來越近。

芯片制造關鍵設備

芯片制造設備是我們最為薄弱的環節，其中離子注入機、蝕刻機、光刻機、光刻膠等等，在以前，我們幾乎完全依賴進口，這些關鍵設備是我們實現芯片國產化的最大“攔路虎”，也是我們主攻的方向。

在近日，中國電科正式宣布，實現了離子注入機的全譜系國產化，包括中束流、大束流、高能、特種應用及第三代半導體等各式離子注入機型，工藝達到了全球領先水平，累計發明專利有413項。

要知道，以前在該領域，美國Axcelis 公司占據著全球70%以上的市場，而我們的自給率卻幾乎為零。中國電科無疑打破了這種“壟斷”局面，加速了國產半導體產業鏈的完善。

在蝕刻機方面，去年中微半導體就完成了自主研發，工藝達到5nm，并且成功完成了與ASML公司EUV光刻機的聯機。

EUV光刻機方面，清華大學于上個月突破了光源技術，可以從太赫茲波段覆蓋到極紫外波段，極紫外光正是EUV光刻機最核心的技術。光源的自主意味著我們對這EUV光刻設備的自研已經成功了一半。

在高端光刻膠領域，除了南大光電之外，上海新陽于前段時間也宣布了好消息，被日美企業壟斷的Arf高端膠，我們已經實現了自主，按照推進發展來看，明年就可以實現小量外銷，2023年便可以大規模量產。

芯片制造關鍵技術

除了芯片制造設備方面的好消息之外，國產芯片制造技術也有很大的突破。

在全球芯片供應短缺的情況下，美國只得放寬對中芯國際的限制，在得到相應許可后，中芯迅速與ASML簽訂了77億的大單，買來了大批DUV光刻機，以用來擴大產能。

更重要的是，中芯利用Finfet技術，通過DUV光刻機的多次曝光，突破了7nm芯片工藝的制造技術，并已宣布在4月份進行風險試產。這意味著中芯將成為全球除了臺積電和三星之外第三家能夠代工7nm芯片的企業。

另外，中芯抓住全球芯片供不應求的機遇，迅速擴建產能。據知情人士透露，中芯的產能已經滿載，預期每月會制造出約40000片12寸晶圓。

總體來看，在經歷“卡脖子”之痛后，國產半導體產業經過規劃與調整，目前已進入全面突圍階段。

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與我們相比，以出口為主的美國半導體產業卻不容樂觀，被芯片禁令“誤傷”的美企比比皆是，加上一場突如其來的寒潮，至今還有不少芯片工廠處于停產狀態。

要知道美國在半導體領域比我們早起步了幾十年，打壓本意是限制，卻不曾想會逼得我們加速前進，如今我們已經迎頭趕上，且大有反超的趨勢。

面對這種情況，美科學家不禁感嘆：中國科技發展得實在是太快了！

轉載自：科技小笛

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