香港萬得通訊社報道，有數據顯示，去年我們買了全球80%的芯片，國內依然是芯片最大的市場。中國芯片制造業要想實現突圍，攻克“卡脖子”技術勢在必行。近兩年以來，除核心中企加大攻關、研發力度以外，中科院等頂尖科研機構也已“跑步”進場，宣布將把光刻機等列入其科研清單中。在中企和“國家隊”共同發力的情況下，國產芯片多個環節驚人突破！實現芯片國產化的距離越來越近。

離子注入機

3月22日，中國電子科技集團有限公司官發方消息，中國電科旗下裝備子集團日前已成功實現離子注入機全譜系產品國產化，可為全球芯片制造企業提供離子注入機一站式解決方案。

據悉，中國電科旗下裝備子集團突破的產品包括：中束流、大束流、高能、特種應用及第三代半導體等離子注入機，工藝段覆蓋至28nm，累計形成了413項核心發明專利。

中芯國際：沖擊7納米

2021年開始之后，中芯國際接連迎來了幾個好消息。3月17日，中心擴建finfet該技術已經成功量產，第二代技術也正在風險是量產之中。所謂的fin fet機其實就是14納米工藝改變的12納米工藝，finfet第二代技術都是指n+1以及n+2制成工藝對標的是臺積電的7納米技術。行業人士猜測，如今正在進行風險試產的應該就是七納米。畢竟七納米是可以脫離EUV光刻機，進行多次曝光就可以生產制造出來的，而這一點臺積電早就已經做了先例。前段時間，中芯國際與荷蘭阿斯麥公司簽訂了一筆價值77億的訂單，其中就包括DUV光刻機，能夠經過多次曝光，制造出7納米芯片。

一旦中芯國際突破了七納米工藝，就意味著中芯國際實際臺積電以及三星之后第三家掌握這項技術的芯片代工企業。

此外，中芯國際擬于深圳擴建產能，生產28納米及以上集成電路。3月17日，中芯國際公告，公司和深圳政府（透過深圳重投集團）擬以建議出資的方式經由中芯深圳進行項目發展和營運。依照計劃，中芯深圳將開展項目的發展和營運，重點生產28納米及以上的集成電路和提供技術服務，旨在實現最終每月約40000片12吋晶圓的產能，預期將于2022年開始生產。

EUV光源

據清華大學官網消息，2 月 25 日，清華大學工程物理系教授唐傳祥研究組聯合國外科研人員發布了一項重大科研成果。該成果基于SSMB（Steady-state microbunching，一種新型粒子加速器光源“穩態微聚束”）原理，能獲得高功率、高重頻、窄帶寬的相干輻射，波長可覆蓋從太赫茲到極紫外（EUV）波段，有望為光子科學研究提供廣闊的新機遇。

大功率的EUV光源是EUV光刻機的核心基礎。隨著芯片工藝節點的不斷縮小，預計對EUV光源功率的要求將不斷提升，達到千瓦量級。基于SSMB的EUV光源有望實現大的平均功率，并具備向更短波長擴展的潛力，為大功率EUV光源的突破提供全新的解決思路。

?轉載自：Wind資訊

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