在全球半導體行業中，芯片制程工藝以28nm為主要分水嶺，28nm以上工藝被稱為傳統制程，而低于28nm的則是先進制程。回歸到智能手機終端，目前已量產的最先進制程工藝無疑是5nm，比如說高通驍龍888芯片、蘋果A14芯片等。

其中，高通驍龍888芯片首次采用三星5nm工藝生產，而蘋果A14和華為麒麟9000芯片則是由臺積電來完成。近日，三星在IEEE國際集成電路會議上，亮出了全球首款3nm工藝制程的SRAM存儲芯片，實現了更前沿的技術突破。

3nm芯片何時到來？明年正式量產

三星的5nm工藝制程在大家看來不如臺積電，不僅量產時間晚了很多，并且還被外界稱為“7nm的改良版”，并非是真正的5nm。當然，不論是7nm還是5nm行業內都沒有統一的標準，如果較真的話，那么臺積電和三星都有問題。

不管怎樣，5nm工藝芯片已經成為當下主流。而三星所秀出的3nm芯片，其實只是搶了個“時間差”，因為從業界消息得知，臺積電也會在明年實現量產3nm工藝芯片，并且蘋果下一代A15芯片將直接采用。

因此，可以確定的是，三星和臺積電將于明年都會開始量產3nm芯片。

三星3nm工藝有望比臺積電更先進

芯片功耗分為動態功耗和靜態功耗，前者相當于工作時所產生的功耗，而后者則是各種精密元器件漏電功耗。而漏電功耗在實際中占到了芯片總功耗的50%以上，是真正的功耗殺手。

每一代芯片工藝的大進步，都會縮短CMOS晶體管的溝道長度，而溝道長度越短，漏電就越嚴重，所以在目前主流的5nm工藝時代，三星和臺積電為了保守起見，均沿用了傳統的FinFET晶體管，導致5nm集體功耗有些翻車。

而在3nm工藝中，三星將采用全新的GAAEFET晶體管，能夠大幅降低電壓功耗。作為對比，臺積電則依然還是FInFET晶體管。反映到最終數據對比上看：

三星稱自家3GAE工藝能將芯片晶體管密度增加最多80%，性能提高最多30%，或者功耗降低最多50%；而臺積電的3nm FinFET工藝則最多提高晶體管密度70%，性能提升11%，功耗降低27%，顯然大大不如前者。

最后，回到我們國內半導體行業來看，雖然比起臺積電和三星的工藝掌握差距還非常大，但是傳統制程方面已經基本成熟，接下來就是全力攻克先進工藝制程。同時，華為所面臨的芯片危機想必遲早也會得到解決。

文章來源：Tech情報局

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