作為全球半導(dǎo)體行業(yè)巨頭，三星和臺積電一同掌握了目前全世界最先進(jìn)的芯片制程工藝。眾所周知，今年高通最新的移動端旗艦級處理器驍龍888正是采用了三星7nm工藝生產(chǎn)，被廣泛應(yīng)用于各大廠商高端機(jī)型當(dāng)中。

而在近日，三星正式宣布自家3nm工藝芯片成功流片，距離量產(chǎn)更近一步。就目前來看，全球量產(chǎn)最先進(jìn)工藝仍是5nm，而臺積電也將在明年量產(chǎn)3nm工藝，與三星在時間節(jié)點上實際差不了多少。

但是，從3nm工藝性能差距上看，三星首次超過了臺積電。在3nm工藝研究上，三星直接選擇了更為激進(jìn)的下一代工藝技術(shù)——GAAFET環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管，能夠顯著增強(qiáng)晶體管性能，用以取代過去成熟的FinFET晶體管技術(shù)，而臺積電的3nm工藝仍是基于后者。

具體來看，三星的第一顆3nm SRAM芯片采用的是MBCFET技術(shù)，容量256MB，擁有超低功耗特性。按照三星官方說法，自家的3GAAFET工藝相比于5nm工藝，性能提升最多30%，功耗降低最多50%。

作為對比，臺積電所公布的3nm工藝相比于5nm工藝，性能提升可達(dá)到1%，功耗降低最多27%，由此可見其表現(xiàn)完全不如三星。不得不說，在過去的7nm和5nm時代，臺積電一直穩(wěn)壓三星，而在即將來臨的3nm工藝，三星終于實現(xiàn)了反超。

不過，雖然從理論性能上看三星比臺積電更強(qiáng)，但是根據(jù)以往的表現(xiàn)，臺積電3nm工藝所擁有的客戶數(shù)量更多，包括蘋果、AMD、NVIDAI、聯(lián)發(fā)科、賽靈思、博通、高通等主要客戶都會在明年采用，而三星想要從臺積電手中搶走這些客戶，除了量產(chǎn)時間要早以外，還要從芯片性能和代工價格上狠下功夫。

來源：Tech情報局?

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