近日，多個半導體產業項目迎來新進展，涉及項目包括浙江麗水中欣晶圓12英寸硅片外延項目、西安第三代化合物半導體芯片與器件產業化項目、國芯RISC-V芯片架構總部等12個集成電路產業項目、至純科技加碼半導體濕法設備模塊及零部件研發等項目、積塔碳化硅6英寸線等產業鏈重點項目。（半導體求職招聘網）

總投資40億，中欣晶圓12英寸硅片外延項目正式竣工投運

據麗水經濟技術開發區消息，12月9日，浙江麗水中欣晶圓12英寸硅片外延項目舉行竣工投運儀式，標志著該項目首期正式投入運行。

公開資料顯示，浙江麗水中欣晶圓成立于2021年11月2日，其旗下的麗水中欣晶圓外延項目，是麗水培育半導體全鏈條產業的龍頭項目，項目總投資40億元，將在麗水經開區首期建設年產120萬片8英寸的生產線（以特殊需求外延片為主）、240萬片12英寸外延片生產線，未來可擴產至年產240萬片8英寸外延片、360萬片12英寸外延片生產線，全部達產后年產值將在50億元左右。

該項目于2021年9月簽約，2021年11月17日，麗水中欣晶圓外延項目舉行開工儀式后，迅速進入基礎施工。在各方的共同努力下，僅用88個工作日，該項目便于今年5月實現了主體結構封頂。麗水中欣晶圓外延項目還被正式納入了2022年浙江省重點建設項目計劃。

百億級半導體項目落戶陜西西咸新區

據西咸新區公眾號消息，近日，陜西省西咸新區涇河新城與江西譽鴻錦材料科技有限公司在北京簽訂戰略合作框架協議，總投資116億元的西安第三代化合物半導體芯片與器件產業化項目正式落戶涇河新城。

據了解，氮化鎵（GaN）作為研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，在光電子、激光器、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊發展前景。西安第三代化合物半導體芯片與器件產業化項目將以第三代化合物半導體材料氮化鎵為核心內容，建立第三代化合物半導體研發中心，開展氮化鎵基半導體核心技術攻關、新品研發等工作。

項目達產后，可實現年產值500億元，實現年上繳稅收約25億元。同時，將進一步帶動相關上下游產業鏈配套企業入駐，全力助推氮化鎵電子器件和高端光電器件等在涇河新城實現“中國智造”。以此次簽約為標志，涇河新城將在產業布局上形成光伏、新能源新材料、半導體芯片三大產業鼎足之勢。

國芯RISC-V芯片架構總部等12個集成電路產業項目簽約落戶無錫

12月10日，據新民晚報報道，由江蘇集萃集成電路應用技術創新中心和錫山經濟技術開發區共同承辦的“首屆長三角集成電路工業應用一體化發展大會”在無錫錫山區舉行。

會上，集萃加速科技聯合實驗室、集萃華大九天EDA聯合實驗室、“集萃芯”省級眾創空間、無錫學院集萃集成電路協同創新中心、江南大學集萃集成電路學院、長三角集成電路工業應用技術創新中心揭牌；國芯RISC-V芯片架構總部項目、優倍新型工業測量與控制芯片組研發項目等12個集成電路產業項目簽約落戶，為錫山集成電路產業發展注入強勁動力。

據報道，長三角工業芯谷總建筑面積24萬平方米，聚焦工業升級、智能制造等領域，集聚產業鏈上下游企業招引培育，推動芯片設計、裝備制造產業集聚優化，打造“以園聚鏈、鏈路聚合”的產業生態。園區目前已集聚集成電路企業60余家，力爭到2025年，引進培育優質集成電路產業鏈企業100家以上，實現產值200億元以上，打造無錫集成電路產業版圖上重要一極。

作為長三角工業芯谷的核心創新平臺，江蘇集萃集成電路應用技術創新中心自2020年落地至今，在平臺能力建設、人才項目引育、關鍵技術攻關等方面，均取得了豐碩成果。目前已集聚人才140余人；打造芯片全流程設計服務平臺、長三角車規級芯片檢則中心、基于SDR的DSP+工業5G公共服務平臺等核心能力；圍繞醫療器械、汽車電子、工業控制、5G通信等應用領域，組織“揭榜掛帥”聯合攻關項目2項，落地“撥投結合”重大項目5項；與南京大學、東南大學、江南大學、無錫學院等高校合作，聯合培養集萃研究生30余人；推動成果轉化和企業孵化，引進孵化企業12家，服務企業40余家。

下階段，錫山將加快打造一流重大科創平臺，進一步強化江蘇集萃集成電路應用技術創新中心、湖南大學無錫半導體先進制造創新中心等大院大所平臺的“硬核支撐”，以本次大會為契機，構建覆蓋集成電路設計、裝備、材料全產業鏈發展生態，全力打造輻射長三角區域的“錫山工業芯谷”產業地標。

募資18億！至純科技加碼半導體濕法設備模塊及零部件研發等項目

12月10日，至純科技發布公告稱，綜合考慮目前資本市場環境的變化，結合公司實際情況、發展規劃等諸多因素，公司計劃調整融資方式，決定終止公開發行A股可轉換公司債券事項并撤回申請文件，同時將融資方式調整為非公開發行股票。

據披露，至純科技擬向不超過35名特定投資者，定增募資18億元，扣除發行費用后，4億元用于單片濕法工藝模塊、核心零部件研發及產業化項目，1.6億元用于至純北方半導體研發生產中心項目，7億元用于啟東半導體裝備產業化基地二期項目，剩余5.4億元用于補充流動資金或償還債務。

單片濕法工藝模塊、核心零部件研發及產業化項目基于公司現有28nm半導體濕法設備的研發及生產的技術積累，將針對14nm及以下工藝節點的高階單片濕法工藝模塊、單片式腔體及耐腐蝕性、高精密度的核心零部件進行研發及產業化。

據悉，以上項目建成后將成為至純科技高階制程單片濕法裝備及零部件研發與產業化基地，在設計、制造及研發上實現從成熟制程往高階先進制程的路徑，裝備與核心零部件將形成雙向協同，項目達成后將形成高階制程單片濕法模塊年產100套，各類零部件年產近2000套，進一步提高生產規模和產品產能，是公司戰略目標達成的重要支撐。

至純北方半導體研發生產中心項目將基于公司現有成熟的半導體濕法設備以及系統集成及支持設備的工藝技術積累，同時基于北京經濟技術開發區（亦莊）的半導體產業集聚和技術先進優勢，在北京亦莊設立濕法設備、系統集成及支持設備及核心零部件的北方生產研發基地。本項目的實施將擴大至純科技生產規模、增強公司產品下游應用領域，同時針對北方客戶需求對產品進行定制化研發以提升產品競爭力，鞏固并提升公司的行業地位。本項目達產后，公司預計將實現年產系統集成及支持設備30套、半導體濕法設備15臺、半導體零部件2,610套的生產能力。

安徽蚌埠經開區：謀劃引入積塔碳化硅6英寸線等產業鏈重點項目

近日，安徽蚌埠經濟開發區管理委員會發布市經開區2022年工作總結和2023年工作計劃。

蚌埠經開區提到，在2022年主要工作，總投資50億元的8英寸MEMS晶圓生產線項目順利通過國家發改委窗口指導；總投資10億元的6英寸MEMS晶圓擴能項目（5000片）部分設備正在安裝調試，預計明年上半年達產；總投資11億元的融薇科技6英寸MEMS晶圓生產線項目全套生產設備已運抵蚌埠，正在開展廠房裝修改造；總投資5億元的仙羋智造新型智能功率模組(IPM)研發生產基地、芯動聯科MEMS封裝測試生產及研發項目正加快建設，計劃年底前正式投產。

在2023年工作目標和主要舉措中，蚌埠經開區指出將全力服務推進8英寸MEMS晶圓生產線項目和融薇科技6英寸MEMS晶圓生產線項目（6000片）建成試運行；全力推進6英寸MEMS晶圓擴能項目（5000片）建成達產；力爭2023年底形成6吋MEMS晶圓11000片/月、8吋MEMS晶圓10000片/月產能。

圍繞晶圓代工核心能力，充分釋放封測核心產能，加快推進芯動聯科封測、仙羋智造功率模組等重點項目建成投產，服務推進禹芯半導體、希磁科技產業園等建成項目產能爬升，計劃到2023年底，園區封測企業實現產值超20億元。（半導體求職招聘網站）

同時，蚌埠經開區將力爭北方微電子研究院落戶傳感谷，北方傳感、數碼雷管等項目當年簽約、當年投產；跟蹤慧聞科技、微納矽邦半導體等小巨人企業發展動向，推動芯動聯科向下游布局車規級封裝項目、推動希磁科技謀劃自建8英寸線（IDM），謀劃引入積塔碳化硅6英寸線等產業鏈重點項目。

來源：全球半導體觀察